2023年06月28日09:18 | 來源：科技日報小字號

　　原標（biāo）題：新型計算機內存大（dà）幅減少能（néng）耗

　　科技（jì）日報訊 (記者張夢然)英國（guó）研究人員開發了一種新的計算機內存設計方法，可（kě）極大地提高性能並減（jiǎn）少互聯網和通信技術（shù）的能源需求（qiú）。劍（jiàn）橋大學研究團隊開發的這種仿照人腦突觸方式處理數據的設備，基於氧化鉿和（hé）微型自組裝（zhuāng）勢壘（lěi），勢壘可升高或降低以允（yǔn）許電子通（tōng）過。這種改變計算機存儲設備電阻（zǔ）並允許信息處理和存儲器存在於同一位（wèi）置的方法，可能會（huì）導致密度更大、性能更高和能耗更低的計算（suàn）機存儲設（shè）備（bèi）出現。研究結果發表在..一期《科學（xué）進展》雜誌（zhì）上。

　　計算機內（nèi）存（cún）效率低下（xià）問題的一（yī）個潛在解決方案是一種稱為電阻開關內存的新型技術。傳統的存儲設備具有兩種狀態：1或0。然而，功能正常的電阻開關存儲（chǔ）器件將（jiāng）能夠具有連續的狀態範圍，基於此原理的計算機（jī）存儲器件將具有更高的密度和速度。例如，基於連續範圍的典型USB內存能夠容納10倍到100倍的信息。

　　研究團隊開發了一種基於氧化鉿的原型設備，氧化鉿是一種已用於（yú）半導體行業的絕緣（yuán）材料。研究人員發現，通過在氧化鉿薄膜（mó）中添加鋇，複合材料中開始形成一些垂直於氧化鉿平麵（miàn）的不尋常結構。

　　這些垂（chuí）直的富鋇“橋”具有高度結構化，允（yǔn）許電子通（tōng）過，而周圍（wéi）的氧化鉿保持非結（jié）構化。在這些橋與（yǔ）器件觸點相交的地方，形成了（le）電子可穿過的能量勢壘。研究人（rén）員能控製（zhì）該勢壘的高度，從而改變複合材料的（de）電阻。與隻有兩種狀態的傳統存儲器不同，新設備允許材料中存在多（duō）種狀態。

　　與其他需要昂貴的高溫製造方法的材料不同，這些氧化鉿複合材料可在低溫（wēn）下自組裝表現出高水平的性能和均勻性，使其（qí）在下（xià）一代內存應用中極具前景。

　　研究人員稱，這些材料真正令人興奮的（de）是它們可像（xiàng）大腦中的突觸一樣工作：它們可在同（tóng）一個地方存儲和處理信息，這使得它們在快速發展的人工智能和機器學習領（lǐng）域非（fēi）常有前途。

　　(責編：羅知之、陳鍵)

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